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由于AlN是一種典型的共價合物，具有很高的熔點，在燒結的過程中原子的自擴散系數小、晶界能較高，因而通常很難采用常規的燒結方法燒結出高純的AlN陶瓷，必須添加助燒劑來促進燒結。
為20wt AlN,TiN) -Al2 O3 在1420 熱壓燒結后的斷口SEM照片。可見, 材料在較低溫 度下燒結時, 致密度較低, 斷裂模式主要為沿晶斷 為20wt AlN,TiN) -Al2 O3 熱壓燒結后的斷口SEM 照片。可見: 壓燒結的樣品非常致密,幾乎觀察不到氣孔, 屬于穿 晶和沿晶混合斷裂模式。
【摘要】：在回顧氮化鋁陶瓷研究歷史的基礎上,對近國內外高導熱AlN陶瓷的研究工作進行了全面的評述,包括粉體制備、燒結助劑、燒結工藝、燒結氣氛及燒結后熱處理等方面,著重從微觀結構出發探討了諸因素對AlN導熱性能的影響,并介紹了該領域的發展動態。
程衛華【摘要】采用熱壓燒結工藝制備了AlN-SiC復合材料，用XRD和激光導熱儀等研究了SiC加入量對復合材料導熱性能的影響。結果表明：當SiC含量20wt%時，燒結溫度為1800℃～1950℃，隨著燒結溫度的升高，熱擴散系數逐漸增加，熱導率呈逐漸上升的趨勢，熱導率從42.2W·m ·K 增加到68.4W·m ·
【摘要】：利用放電等離子燒結(spark plasma sintering,SPS)工藝研究了燃燒合成法制備的2種具有不同形貌的AlN粉以及1種碳熱還原氮化法制備的市售亞微米級AlN粉的燒結性能、致密化機理以及導熱性能。結果表明:燃燒合成法制備的AlN納米晶須狀粉末具有與亞微米級標準市售AlN粉末同樣優異的燒結性能,都 ...
用于半導體制造的氮化鋁（AlN）部件. 活用氮化鋁（AlN）高導熱率和高耐腐蝕性，將其用于半導體制造設備部件。 MARUWA以培育多年的材料技術為基礎，使用適合產品使用和形狀生產的原始燒結工藝，生產半導體制造設備和醫療設備零件。 Aluminum Nitride (AlN) Components
但它晶界較為“干凈”，高溫強度并不隨溫度的升高而變化，一般能用到1600℃，強度不發生變化。在固相燒結中SiC-AlN系統很值得注意，由于它具有良好的電阻與導熱性，有可能是一種廉價的大規模集成電路的 …
但由于SiC陶瓷材料的表面能與界面能的比值低，即晶界能較高，因而很難通過常規方法燒結出高純致密的SiC陶瓷。采用常規的燒結方法時，必須添加助燒劑且燒結溫度必須達到2050℃以上，但這種燒結條件又會引起SiC晶粒長大，大幅降低SiC陶瓷的力學性能。
AlN可穩定到2200℃。室溫強度高，且強度隨溫度的升高下降較慢。導熱性好，熱膨脹系數小，是良好的耐熱沖擊材料。抗熔融金屬侵蝕的能力強，是熔鑄純鐵、鋁或鋁合金理想的坩堝材料。 氮化鋁還是電絕緣體，介電性能良好，用作電器元件也很有希望。
傳統流延成型工藝所制備出的漿料固相體積含量較低，加上干燥階段中部分有機溶劑的揮發，極易導致素坯中孔隙率的增加從而使坯體結構疏松化，弱化后期燒結效果，難以制備出高致密度、高導熱AlN陶瓷基片。 AlN…
德山的高純氮化鋁粉末，具有熱導性好、電絕緣性強、與各種半導體相近的熱膨脹性等特性，是的燒結體原料。我們還備有在這種高純氮化鋁粉末中加入了助燒結劑、易于使用的成型顆粒規格產品。
分類號學號 M 代碼1 密級華中科技大學 直流電弧等離子體制備納米AlN 粉末 及其燒結性能研究 學位申請人： 胡木林副教授 ThesisSubmitted PartialFulfillment EngineeringPreparation AlNpowder DCarc plasma Itssintering performance Candidate LianZhang Major MaterialsScience Supervisor AssociateProf.
常見的AlN陶瓷助燒劑有：Y2O3、CaCO3、CaF2、YF3等。添加助燒劑燒結高導熱AlN陶瓷的方法目前已廣泛應用于生產中，但是由于AlN 陶瓷燒結時間長、燒結溫度高、高品質AlN粉價格貴等原因，導致AlN陶瓷制作成本極高。 高導熱陶瓷材料的應用
通過對比燒結曲線優化前后AlN陶瓷基片主要性能及組織結構，結果表明燒結曲線優化后效果明顯。 關鍵詞：AlN陶瓷基片；液相燒結；保溫時間；燒結溫度；燒結曲線 中圖分類號：TB34 文獻標志碼：A 文章編號： 7545
【摘要】：氮化鋁薄膜耐高溫、化學性質穩定、絕緣性能好,是優良的壓電材料。氮化鋁薄膜機電耦合系數大、聲速高、高頻性能好,適合于制柞聲表面波器件。saw器件與半導體技術的結合是當前發展的一個重要趨勢,aln的高頻和低色散性能有助于解決大數據速率的信號處理器件。
本文主要以納米AlN粉體為原料，通過選取不 同的燒結助劑和添加劑，合理控制燒結工藝，在1600低溫常壓燒結制備了致密的 AlN陶瓷。 本文研究了A1N陶瓷燒結過程的氧化現象，進行了空氣氧化實驗、氣氛實驗、 埋粉實驗和溫度實驗等研究。
工藝：熱壓燒結、無壓燒結、放電等離子燒結、微波燒結及自蔓延燒結；闡述AlN 基板的制備工藝及其影響因素。 關鍵詞：AlN；導熱機理；合成；燒結；燒結助劑；基板. 中圖分類號：TQ 174 文獻標識碼：A . Typical properties and preparation technologies of . AlN packaging material
隨著燒結時間的延長，AlN晶格內部的氧原子逐步向表面擴散，進一步凈化了AlN晶格，熱導率迅速增長。該助燒劑體系中Li 2 O的助燒作用是明顯降低反應溫度，改善液相與AlN晶粒的潤濕性，促進低溫燒結AlN陶瓷的致密化。 表 2 常見AlN陶瓷多元燒結助劑對燒結性能 ...
本發明涉及的是一種高溫共燒氮化鋁（AlN）陶瓷的燒結方法，屬于電子陶瓷技術領域，主要應用于多芯片組件（MCM）和大功率陶瓷基板及外殼等領域。背景技術高溫共燒陶瓷（HTCC）按照材料體系可分為氧化鋁和氮化鋁等。氮化鋁高溫共燒陶瓷的主要優點是熱導率高、機械強度高、電性 …
陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlN)陶瓷基片表面( 單面或雙面)上的特殊工藝板。所制成的超薄復合基板具有優良電絕緣性能，高導熱特性，優異的軟釬焊性和高的附著強度，并可像PCB板一樣能刻蝕出各種圖形，具有很大的載流能力。
然而，當前缺乏足夠大和高質量的單晶限制了AlN的發展。在這次報告中，我們介紹了一種新穎的自發式方法，通過內部設計的3英寸PVT升華反應器生長獨立式AlN晶體。生長結果表明，通過精確控制反應腔中的溫度分布，可以在預燒結的AlN粉末源上生長獨立的AlN單晶。
摘要： 將空心陰極效應運用于AlN陶瓷的燒結, 選用自蔓延高溫合成的AlN粉體為原料, 用 Y2O CaO-Li2O作為燒結助劑, 制備出了致密度高, 導熱性能好的AlN陶瓷.在添加5.5wt% 的Y2O CaO-Li2O(Y2O3:Li2O:CaO=44:6:5wt%)作為燒結助劑, 在1700℃, 保溫3h的燒結條件下, 獲得相對密度為98.89%, 熱導率...
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常見的AlN陶瓷助燒劑有：Y2O3、CaCO3、CaF2、YF3等。添加助燒劑燒結高導熱AlN陶瓷的方法目前已廣泛應用于生產中，但是由于AlN 陶瓷燒結時間長、燒結溫度高、高品質AlN粉價格貴等原因，導致AlN陶瓷制作成本極高。 高導熱陶瓷材料的應用
AlN陶瓷 燒結助劑 致密度 熱傳導系數 ... 【摘要】：介紹了在 Al N燒結中 ,燒結助劑的種類和加入量對 Al N陶瓷材料的燒結致密度和熱傳導系數的影響。通過分析不同燒結助劑對 Al N低溫燒結 (16 0 0℃ )的影響 ,認為有效的燒結助劑應該滿足以下 4個原則 :1和 Al N顆粒 ...
氮化鋁陶瓷的燒結簡介及調控 摘要：AlN 陶瓷以其高的熱導率、低的介電常數、與硅相匹配的熱膨脹系數等優 點，在模塊電路、可控硅整流器、大功率晶體管、大功率集成電路等電子器件上 的應 …
